პარამეტრები

1. რა განასხვავებს აქტიურ და გაჯერების რეჟიმებს ერთმანეთისგან?

A. აქტიურში კოლექტორის შეერთება უკუჩართულია, გაჯერებაში — ორივე შეერთება პირდაპირ არის ჩართული
B. გაჯერებაში ტრანზისტორი საერთოდ არ ატარებს დენს
C. აქტიურში ბაზა-ემიტერის შეერთება უკუჩართულია
D. ორივე რეჟიმი ერთი და იგივეა, სახელი განსხვავებულია

2. რა კავშირშია დენის გაძლიერების კოეფიციენტები β და α?

A. β = α
B. β = α/(1−α), α = β/(1+β)
C. β = 1/α
D. β + α = 1

3. რატომ არის გერმანიუმის ტრანზისტორის ჩართვის ძაბვა (≈0.2-0.3 ვ) გაცილებით დაბალი სილიციუმისზე (≈0.6-0.7 ვ)?

A. გერმანიუმის ვიწრო ზოლური უფსკრული ზრდის შინაგან მუხტმატარებელთა კონცენტრაციას და, შესაბამისად, გაჯერების დენს I_S-ს
B. გერმანიუმს საერთოდ არ სჭირდება ბაზა-ემიტერის ძაბვა
C. გერმანიუმის β ყოველთვის ნულია
D. ეს მხოლოდ საწარმოო შემთხვევითობაა, ფიზიკურ მიზეზს არ გააჩნია

4. რას აღწერს ერლის ეფექტი (Early effect)?

A. V_CE-ის ზრდა აფართოებს კოლექტორის გაღარიბებულ ზონას ბაზაში და ავიწროებს ეფექტურ ბაზის სიგანეს, რაც ოდნავ ზრდის I_C-ს
B. ტემპერატურის ცვლილებას β-ზე
C. ტრანზისტორის დაზიანებას მაღალ ძაბვაზე
D. ემიტერის ინჟექციის ეფექტურობას