P-N გადასასვლელი | ნანოელექტრონიკა

პარამეტრები

რეჟიმი

მასალა

Na — p-მხარის მინარევი [cm⁻³]

Nd — n-მხარის მინარევი [cm⁻³]

ტემპერატურა [K]

ძაბვის დიაპაზონი

1. რა ხდება p-n გადასასვლელის კონტაქტური პოტენციალს (Vbi), თუ მინარევების კონცენტრაცია Na და Nd ათმაგდება?

A. ათმაგდება

B. იზრდება ~0.06V-ით (ln(10)·Vₜ)

C. მცირდება

D. არ იცვლება

2. Si-ის p-n გადასასვლელი 300K-ზე. ტემპერატურა 600K-მდე გაიზარდა. გაჯერების დენი J₀ დაახლოებით რამდენჯერ გაიზარდა? (ni ≈ 10¹⁰→10¹⁵ cm⁻³)

A. ~10×

B. ~100×

C. ~10⁵×

D. ~10¹⁰×

3. Na = 10¹⁸ cm⁻³, Nd = 10¹⁵ cm⁻³ (ასიმეტრიული გადასასვლელი). გამოტუმბვის ზონა ძირითადად რომელ მხარეში ვრცელდება?

A. p-მხარეში

B. n-მხარეში

C. ორივე მხარეში თანაბრად

4. რატომ იყენებს GaN-ს და SiC-ს სიმძლავრის ელექტრონიკა Si-ის ნაცვლად?

A. დიდი Eg → მაღ. ტემპ., მაღ. ძაბვა, ნაკლები დანაკარგი

B. დაბალი J₀ → ნაკლები დენი

C. იაფია წარმოებაში

D. მობილობა უფრო მაღალია