ფარფლიანი და გარშემორტყმული ჩამკეტის ტრანზისტორები (FinFET / GAA)

როცა არხის სიგრძე მცირდება, პლანარული (ერთჩამკეტიანი) სტრუქტურის ჩამკეტი ვეღარ აკონტროლებს არხის პოტენციალს საკმარისად კარგად — წყარო და ჩამდენი იწყებენ პირდაპირ „ჩარევას" არხში (მოკლე არხის ეფექტები). დამატებითი ჩამკეტები (FinFET-ის 2-3, GAA-ს 4 მხრიდან) აღადგენენ კონტროლს, საშუალებას აძლევენ არხის სიგრძეს გაგრძელდეს შემცირება.

$\lambda=\sqrt{\varepsilon_{si}t_{si}t_{ox}/(n\varepsilon_{ox})}$ — რაც უფრო მეტია ჩამკეტების რაოდენობა ($n$) ან რაც უფრო თხელია სხეული ($t_{si}$), მით უფრო მცირეა $\lambda$, და მით უფრო მოკლე არხის სიგრძეც შეიძლება საიმედოდ იმუშაოს (წესი: $L\gtrsim6\lambda$).

რამდენიმე ნანოფურცლის ერთმანეთზე დაწყობით (მაგ. 3 ფურცელი), მთლიანი ეფექტური სიგანე მრავლდება დაწყობის რაოდენობით, ხოლო ჩიპზე დაკავებული ჰორიზონტალური ფართობი (footprint) იგივე რჩება — ეს პირდაპირ ზრდის დენს ერთეულ ფართობზე, რაც კრიტიკულია მჭიდროდ ინტეგრირებული სქემებისთვის.

DIBL (Drain-Induced Barrier Lowering) აღწერს, თუ როგორ „ეხმარება" მაღალი ჩამდენის ძაბვა არხის პოტენციალურ ბარიერს დაბლა დაცემაში, რაც ხელოვნურად ამცირებს ზღვრულ ძაბვას და ზრდის გამორთვის დენს. მრავალჩამკეტიანი არქიტექტურები მნიშვნელოვნად ამცირებენ DIBL-ს, რადგან ჩამკეტები „იცავენ" არხს ჩამდენის ველისგან.