რეზონანსული გვირაბური დიოდი

დაბალ ბიასზე ემიტერის ელექტრონების ენერგია ემთხვევა კვანტურ ჭაში მდებარე რეზონანსულ დონეს — ტრანსმისია მაქსიმალურია. ბიასის შემდგომი ზრდისას ეს გასწორება ირღვევა (რეზონანსული დონე ეშვება ემიტერის გამტარობის ზოლის ძირზე დაბლა), ტრანსმისია მკვეთრად ეცემა, და დენიც კლებულობს — მიუხედავად იმისა, რომ ძაბვა იზრდება.

მარტივი უსასრულო ჭის მიახლოებით, $E_1=\hbar^2\pi^2/(2m^*L_w^2)$ — ეს არის იგივე კვანტური ჩაკეტვის ფიზიკა, რაც ნებისმიერ კვანტურ ჭაში (მაგალითად, nanophysics-ის კვანტური ჭის კალკულატორში), უბრალოდ აქ ეს დონე გამოიყენება რეზონანსული გვირაბირების „საკონტროლო სარკვევად".

მაღალი PVCR ნიშნავს, რომ „ჩართული" (პიკური) და "გამორთული" (ხეობის) მდგომარეობებს შორის კონტრასტი დიდია — კრიტიკულია ოსცილატორებისა და ლოგიკური სქემებისთვის, სადაც სასურველია ძლიერი, ცალსახა უარყოფითი წინაღობის რეგიონი.

RTD-ები რჩება ერთ-ერთ ყველაზე პერსპექტიულ მყარსხეულოვან წყაროდ თერაჰერცული სიხშირეების დიაპაზონისთვის (100 გჰც-დან რამდენიმე თერაჰერცამდე) — დიაპაზონი, სადაც ტრადიციულ ტრანზისტორულ ოსცილატორებს უჭირთ ეფექტური მუშაობა.