ერთელექტრონიანი ტრანზისტორი
კულონის ბლოკირება, დამუხტვის ენერგია, ერთელექტრონული გვირაბირება
ერთელექტრონული გვირაბირების ანიმაცია
პარამეტრები
1. რა არის კულონის ბლოკირების ფიზიკური მიზეზი ერთელექტრონიან ტრანზისტორში?
A. ერთი დამატებითი ელექტრონის კუნძულზე დამატებას სჭირდება სასრული ელექტროსტატიკური ენერგია $e^2/2C_\Sigma$, რომელიც თერმული აღგზნებით ხელმისაწვდომი არ არის დაბალ ტემპერატურაზე
B. ელექტრონები ერთმანეთს მაგნიტურად იგერიებენ
C. კუნძული სრულად იზოლირებულია, დენს საერთოდ ვერ ატარებს
D. ეს კვანტური სპინური ეფექტია
2. რატომ საჭიროებს ერთელექტრონული ეფექტების დაკვირვება ძალიან პატარა კუნძულს ან ძალიან დაბალ ტემპერატურას?
A. დამუხტვის ენერგია უკუპროპორციულია ტევადობის, ხოლო ტევადობა უკუპროპორციულია ზომის — პატარა კუნძული იძლევა დიდ $E_C$-ს, რომელიც შეიძლება აღემატებოდეს $k_BT$-ს მაღალ ტემპერატურაზეც კი
B. დიდი კუნძული უფრო მეტ ელექტრონს იტევს
C. ეს მხოლოდ საწარმოო შეზღუდვაა, ფიზიკურ საფუძველს არ გააჩნია
D. პატარა კუნძული ანადგურებს ელექტრონებს
3. რას წარმოადგენს კულონის ოსცილაციების პიკები ჩამკეტის ძაბვის მიმართ?
A. წერტილებს, სადაც კუნძულის ორი მეზობელი მუხტის მდგომარეობა (n და n+1 ელექტრონი) ენერგეტიკულად ტოლფასია, რაც დროებით ხსნის ბლოკირებას
B. შემთხვევით ხმაურს
C. ტრანზისტორის დაზიანების მომენტებს
D. ტემპერატურის ცვლილებას
4. რატომ ქრება კულონის ბლოკირება, თუ გვირაბული შეერთების წინაღობა ხდება კვანტური წინაღობაზე $h/e^2$ ნაკლები?
A. დაბალი წინაღობა ნიშნავს სწრაფ გვირაბირებას — მუხტის მდგომარეობის „სიცოცხლის დრო" იმდენად მოკლდება, რომ ენერგეტიკული განუსაზღვრელობა ($\Delta E\sim\hbar/\Delta t$) ფარავს $E_C$-ს
B. ტემპერატურა ავტომატურად იზრდება
C. კუნძული ლღვება
D. ეს მხოლოდ თეორიული შემთხვევაა, არასოდეს ხდება რეალურად