შოტკის გადასასვლელი

P-N გადასასვლელში გამტარობას განაპირობებს ორივე ტიპის მატარებლის ინჟექცია მეორე მხარეს, რაც შექცევისას მოითხოვს დაგროვილი არაძირითადი მატარებლების გამოცლას (უკუაღდგენის დრო). შოტკის დიოდში დენს ატარებენ მხოლოდ ძირითადი მატარებლები (ლითონსა და ნახევარგამტარს შორის), ამიტომ ის გაცილებით სწრაფად რთავს გამორთვას.

გაჯერების დენის სიმკვრივე $J_S=A^*T^2 e^{-q\varphi_B/kT}$ დამოკიდებულია ბარიერის სიმაღლეზე, რომელიც ჩვეულებრივ (0.5-0.9 ევ) გაცილებით დაბალია სილიციუმის P-N გადასასვლელის ეფექტურ ბარიერზე — ეს იძლევა 3-5x ნაკლებ ჩართვის ძაბვას იმავე დენის მისაღწევად.

$1/C^2 = \frac{2(V_{bi}-V)}{q\varepsilon N_d}$ წრფივია $V$-ის მიმართ. დახრილობიდან პირდაპირ გამოითვლება $N_d$, ხოლო $V$-ღერძთან კვეთიდან — $V_{bi}$. ეს არის ექსპერიმენტული ხერხი დოპირებისა და კონტაქტური პოტენციალის გასაზომად ტევადობის გაზომვით.

დაბალი ჩართვის ძაბვა (ნაკლები დანაკარგი გამართვისას) და ნულთან მიახლოებული უკუაღდგენის დრო (მხოლოდ ძირითადი მატარებლები) შოტკის დიოდს იდეალურს ხდის გადამრთველ კვების წყაროებში, RF გამმართველებში და მაღალსიხშირულ ლოგიკურ სქემებში (მაგ. ტრანზისტორის გაჯერების თავიდან აცილება).